集成電路在制造過程中經(jīng)歷了材料制備、掩膜、光刻、清洗、刻蝕、摻雜、化學(xué)機(jī)械拋光等多個工序。其中以光刻工藝最為關(guān)鍵,決定著制造工藝的先進(jìn)程度。
集成電路主要是利用光學(xué)-化學(xué)反應(yīng)原理和化學(xué)、物理刻蝕方法,將電路圖形傳遞到單晶表面或介質(zhì)層上,形成有效形窗口或功能圖形的工藝技術(shù)。
光刻技術(shù)是指在光照作用下,借助光致抗蝕劑(光刻膠)將掩膜版上的圖形轉(zhuǎn)移到基片上的技術(shù)。
下面介紹其主要過程:首先紫外光通過掩膜版照射到附有一層光刻膠薄膜的基片表面,引起曝光區(qū)域的光刻膠發(fā)生化學(xué)反應(yīng);再通過顯影技術(shù)溶解去除曝光區(qū)域或未曝光區(qū)域的光刻膠(前者稱正性光刻膠,后者稱負(fù)性光刻膠),是掩膜版上的圖形被復(fù)制到光刻薄膜上;最后利用刻蝕技術(shù)將圖形轉(zhuǎn)移到基片上。
因?yàn)楣饪碳夹g(shù)決定著芯片的集成度,想要提高芯片的集成度,就得需要更高要求的光刻技術(shù)。就目前的形勢來看,晶體管的尺寸會在將來繼續(xù)縮微變小。也就意味著未來的芯片技術(shù)會更加拔高。
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